苏州汉骅半导体有限公司（以下简称“汉骅”）是2017年11月由国创中心江苏产研院、苏州工业园区与海外技术团队三方共同投入1.15亿元人民币发起成立。汉骅致力于化合物半导体核心材料的研发及产业化，独有硅基/蓝宝石基红、绿、蓝全色氮化镓外延技术，可广泛应用于新一代高端显示领域。伴随深厚的氮化镓外延技术积累，结合汉骅独创混合集成半导体技术，可在晶圆层实现硅基集成电路与III-V化合物半导体器件的高密度常温混合集成。在光电领域，该技术已实现全色3DIC混合集成，成功突破微显示瓶颈，达到高亮度、高效率、和高品质的μLED成像效果。

通过近五年的努力，汉骅主营业务已拓展至新一代无线通讯、电力电子、高端显示、虚拟/增强现实等新兴领域，并为相关产业提供核心关键技术支持。其中，硅基氮化镓的电力电子外延产品已覆盖了增强型外延和耗尽型外延全应用领域，适用于30伏至900伏，在快充、无人机、数据中心等方向应用市场前景可观。

目前，汉骅已在苏州工业园区核心区建成约20000平方米厂区、5000平方米洁净室，可容纳60台MOCVD设备，年产能约30万片高端氮化镓外延量产产线及一条6-8寸兼容μLED芯片工艺线，打造了集先进研发、规模生产、测试、技术服务为一体的全套闭环先进生产制造基地。

作为国创中心首个采用“拨投结合”模式支持的前瞻性硬科技项目，汉骅的发展得到了国家、江苏省和苏州市区各级政府部门的大力支持，先后获评国家高新技术企业、江苏省双创团队、姑苏重大创新团队、苏州工业园区重大领军企业、国家级潜在独角兽企业、苏州工业园区上市苗圃企业等，并获授权海内外专利几十项。立足长三角打造全球领先的化合物半导体创新高地，为我国半导体产业的腾飞做好坚实支撑。